1000배 더 빠른 USB메모리 개발 가능해졌다
연구진이 개발한 차세대 플래시 메모리 소자. - 서울대 제공
과거보다 1000배 이상 속도가 빠르고 저장용량도 몇 배나 커진 차세대 반도체 저장장치 소자를 국내 연구진이 개발했다.
황철성 서울대 교수팀은 USB메모리 등 초소형 저장메모리에 사용되는 낸드 플래시의 한계를 극복할 수 있는 새로운 자가 정류·저항변화 메모리를 개발했다고 19일 밝혔다.
이 소자는 기존 제품에 비해 저장하고 쓰는 속도가 1000배 빠른 것이 가장 큰 장점이다. 저장용량도 50% 더 증가했고, 크기도 절반 이하로 줄일 수 있다. 같은 크기의 메모리로 만들면 용량이 3배 늘어나는 셈이다. 또 공정 비용도 낮아질 걸로 기대돼 상용화 될 경우 차세대 메모리 시장 판도를 바꿀 수 있을 것으로 보인다.
황 교수팀은 메모리 소자 하나에 0과 1을 표시하는 기본단위인 비트를 3개까지 저장할 수 있는 기술을 개발해 이같은 소자를 만들었다. 연구팀은 ‘전극층-발광층-메모리층-전극층’을 쌓은 메모리 구조를 만들어 메모리 소자에 3비트를 저장했다. 그 결과 기존 대비 용량을 1.5배 늘리고, 신호 감도를 늘려 빠른 처리속도를 확보하는 데 성공했다.
현재 낸드 플래시 시장은 연 27조 원 규모로 우리나라는 플래시 메모리 시장의 50% 이상을 차지하고 있다. 연구팀은 이 기술을 상용화 할 경우 플래시 메모리 시장을 한층 더 키우는 한편 국내 산업 장악력을 강화하는 계기가 될 것으로 전망한다.
황 교수는 “이번 연구성과는 차세대 메모리로 각광받는 저항변화 소자 분야에서 세계적 기술을 선점했다는 데 의미가 있다”고 밝혔다.
연구성과는 재료과학분야 학술지 ‘어드밴스드 머티리얼스’ 5월 14일자 온라인판에 게재됐다.
전승민 기자 enhanced@donga.com
출처 : 동아사이언스 http://www.dongascience.com/news/view/7361